L'Inde développe des puces militaires haute performance pour radars et missiles

Cát Tiên |

L'Inde a fait une percée majeure dans la technologie de défense en développant avec succès la puce GaN MMIC, servant les radars, les missiles, les drones et les plateformes militaires.

L'Inde franchit une étape importante dans le groupe des pays leaders en matière de technologie de défense, après avoir développé avec succès un circuit intégré monobloc de micro-ondes Gallium Nitride (GaN MMIC), qui est un type de puce semi-conductrice haute performance destinée aux applications militaires avancées.

Ce type de puce est conçu pour alimenter et contrôler de nombreuses plateformes stratégiques, notamment les drones (UAV), les missiles, les radars, les avions militaires et les navires de guerre.

Avec des performances exceptionnelles, le GaN MMIC est considéré comme une base importante pour les systèmes de combat modernes, où les exigences en matière de vitesse de traitement, de durabilité et de stabilité sont élevées.

Contrairement aux semi-conducteurs traditionnels basés sur le silicium, le GaN MMIC est fabriqué à partir d'un matériau composé de nitride de gallium, ce qui permet une commutation plus rapide, plus économe en énergie et un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.

Grâce à ses propriétés chimiques durables, ce type de puce peut fonctionner à des tensions et des températures très élevées, avec un faible déclin du signal, ce qui est un facteur clé dans les applications militaires nécessitant une grande précision.

Il est à noter que le matériau nitride de gallium est capable de résister à des températures allant jusqu'à environ 1 000 degrés Celsius, dépassant de loin les limites de nombreux types de semi-conducteurs conventionnels.

Bien qu'elle ne mesure qu'environ 3,5 x 3 mm, une seule puce GaN peut toujours générer jusqu'à 30 watts de puissance, tout en fonctionnant environ 300 fois plus vite que les solutions basées sur le silicium.

Outre son rôle dans les systèmes radar et les armes guidées, la technologie semi-conductrice complexe prend également en charge la conversion d'éléments physiques tels que le mouvement, la chaleur, le son, la lumière et la pression en signaux électroniques.

Grâce à cela, les systèmes de défense peuvent suivre les cibles plus précisément et surveiller les performances de l'équipement en temps réel.

Selon les chercheurs, le projet GaN MMIC n'a pas seulement une signification technique, mais constitue également une étape stratégique visant à réduire la dépendance de l'Inde vis-à-vis des fournisseurs de semi-conducteurs de défense étrangers.

Mme Meena Mishra - Directrice du Laboratoire de physique des matières solides (un organisme de recherche important de l'Organisation indienne de recherche et de développement pour la défense - DRDO) - a déclaré que cette réussite est le résultat d'une coordination étroite entre de nombreux groupes de recherche et le Centre de technologie de soutien au gallium arsénide.

Le processus de production de chaque puce est considéré comme extrêmement rigoureux, avec un temps de fabrication et d'essai d'environ 80 jours, passant par des centaines d'étapes nécessitant une précision presque absolue.

Avec cette avancée, l'Inde rejoint officiellement le groupe des pays ayant la capacité de développer des puces militaires avancées, aux côtés des États-Unis, de la France, de la Russie, de l'Allemagne, de la Corée du Sud et de la Chine. Ceci est considéré comme une étape importante dans les efforts d'autonomie technologique et de modernisation de l'industrie de la défense de ce pays.

Cát Tiên
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